发明名称 |
形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法 |
摘要 |
在用于形成焊接掩模的方法中,将光致成像墨涂敷到载体膜上,以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干,以形成光致成像抗蚀剂层,由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧,以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层;硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。 |
申请公布号 |
CN1947238A |
申请公布日期 |
2007.04.11 |
申请号 |
CN200480042537.9 |
申请日期 |
2004.03.23 |
申请人 |
太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳油墨制造株式会社 |
发明人 |
阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01);H01L21/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
康建忠 |
主权项 |
1.一种形成焊接掩模的方法,包括:将光致成像墨涂敷到载体膜上,以在所述载体膜上形成光致成像墨层;使所述光致成像墨层变干,以形成光致成像抗蚀剂层,由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜;将所述光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧,以使所述光致成像抗蚀剂层的上表面与所述衬底接触;通过所述载体膜曝光所述光致成像抗蚀剂层,以形成曝光的抗蚀剂层;从所述曝光的抗蚀剂层去除所述载体膜;显影所述曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层;和硬化所述显影的抗蚀剂层以在所述衬底上形成焊接掩模。 |
地址 |
美国内华达 |