| 发明名称 |
改进的三维掩膜编程只读存储器 |
| 摘要 |
本发明为提高3D-MPROM的可制造性提出了多种制造方案；并提出了3D-EPROM同步编程的概念；本发明还通过布线层折叠来增加3D-ROM的容量；且使用嵌入式接口连接、地址选择线折叠等方法以利于实现位于3D-ROM下方的衬底电路与外界系统之间的接口。2F开口掩膜版(2FOM)在集成电路中有广泛的应用。 |
| 申请公布号 |
CN1310311C |
申请公布日期 |
2007.04.11 |
| 申请号 |
CN02113333.6 |
申请日期 |
2002.02.05 |
| 申请人 |
张国飙 |
发明人 |
张国飙 |
| 分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L21/8246(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L27/112(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种含有多个存储层的三维掩膜编程只读存储器(3D-MPROM)的制造方法，包括下列步骤：1)通过第一刻蚀形成第一地址选择线条(30b)；2)在第一地址选择线条上形成一阻挡介质膜(23)，并根据信息开口掩膜版选择性地在该阻挡介质膜中形成信息开口(24)；3)通过第二刻蚀在该阻挡介质膜上形成第二地址选择线条(20a)；4)该第一和第二刻蚀在该第一和第二地址选择线条之间形成一3D-MPROM膜(22)，该3D-MPROM膜呈矩形，该矩形的两对边由该第一刻蚀形成，另一两对边由该第二刻蚀形成。 |
| 地址 |
610051四川省成都市跳蹬河邮局001信箱 |
