| 发明名称 | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法 | ||
| 摘要 | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂及助氧剂作用的有机碱、能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递、去除金属离子作用的表面活性剂和水共同组成，其中有机碱占40～45％，表面活性剂占7～15％，水占40～53％。清洗方法为先在清洗中加入8～15倍去离子水，在50～60℃超声清洗5～10分钟，清洗两次；再用去离子水在50～60℃超声漂洗5～10分钟，漂洗两次，然后喷淋、烘干。本发明的优越性在于：1.清洗剂能够克服刷片清洗和RCA清洗自身难以克服的缺点，达到较好的清洗效果；2.工艺简单，操作方便；3.满足环保要求。 | ||
| 申请公布号 | CN1944613A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610087627.0 | 申请日期 | 2006.06.07 |
| 申请人 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 发明人 | 仲跻和 |
| 分类号 | C11D1/66(2006.01);C11D3/30(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C11D1/66(2006.01) |
| 代理机构 | 国嘉律师事务所 | 代理人 | 卢枫 |
| 主权项 | 1、一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂及助氧剂作用的有机碱，能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递的表面活性剂，能够去除金属离子的螯合剂和水共同组成，其中有机碱占40～45％，表面活性剂占5～10％，螯合剂占0.5～1％，水占40～53％。 | ||
| 地址 | 300385天津市天津开发区微电子工业区中晓园2－B号 | ||