| 发明名称 | 在干燥工艺中用于防止图案倾斜的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件的制造方法具有以下步骤：在衬底上形成由被处理膜或者抗蚀剂制成的图案、用作为至少包括水的液体的清洗液清洗图案、在清洗图案之后在残存在衬底上的清洗液的表面上展涂具有亲水性基团和疏水性基团的两性材料、和在展涂两性材料之后干燥衬底以除去衬底上的清洗液。当在干燥步骤中除去湿气时，在清洗液的表面上展涂两性材料的分子，由此减小清洗液的表面张力以防止图案倾斜。 | ||
| 申请公布号 | CN1945792A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610128573.8 | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 田川文武 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);G03F7/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 孙纪泉 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成由被处理膜或者抗蚀剂制成的图案；用作为至少包括水的液体的清洗液清洗所述图案；在清洗所述图案之后在残存在所述衬底上的清洗液的表面上展涂具有亲水性基团和疏水性基团的两性材料；和在展涂所述两性材料之后干燥所述衬底以除去所述衬底上的清洗液。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||