| 发明名称 | 单一电晶体型和巨集电晶体型的半导体装置的制造方法与结构 | ||
| 摘要 | 本发明是有关一种单一电晶体型和巨集电晶体型的半导体装置的制造方法与结构，是一种单一电晶体(1T－RAM)型的随机存取记忆位元晶单元和其制造方法。其是提供一种MIM(Metal－Insulator－Metal；金属/绝缘体/金属)电容结构；及在包含有1T－RAM位元晶单元的finFET电晶体(鳍式场效电晶体)的整合集成制程中，制造MIM电容结构的方法。此finFET电晶体和MIM电容是形成于记忆体区，并揭示非对称制程。1T－RAM记忆晶单元和其他电晶体可结合成巨集(Macro)晶单元，而多个巨集晶单元可形成集成电路。MIM电容可包含奈米粒子或奈米结构，以有效增加电容量。FinFET电晶体可形成于绝缘体上，而MIM电容可形成于基材的层间绝缘层中。此制造上述结构的制程可利于使用知光罩。 | ||
| 申请公布号 | CN1945829A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610140004.5 | 申请日期 | 2006.10.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吕昇达;陈宏玮;张长昀;钟堂轩;徐祖望 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于其至少包含：一基材；一平面金属氧化半导体(Metal Oxide Semiconductor；MOS)电晶体，形成于该基材的一第一区中；至少一鳍式场效电晶体(finFET)，形成于该基材的一第二区中；复数个浅沟渠隔离区，形成于该第一区和该第二区之间；一第一绝缘层，形成于该基材上；一第二绝缘层，形成于该第一绝缘层上；以及至少一MIM(Metal-Insulator-Metal；金属/绝缘体/金属)电容，形成于该第二绝缘层中。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||