| 发明名称 | 制造具有不同厚度的栅极绝缘层的晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 于一种实施例中，该方法包含于由硅所组成的基材(30)上形成材料牺牲层(34)，执行湿式蚀刻处理以移除该牺牲层(34)，于移除该牺牲层(34)后植入氟原子于该基材(30)所选择的部分中，以及执行热氧化处理以于该基材(30)上形成多个栅极绝缘层(42、44)，形成于该基材(30)所选择植入氟原子的部分上的栅极绝缘层(42)的厚度较形成于该基材(30)未植入氟原子的部分上的栅极绝缘层(42)为厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1310314C | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN02828948.X | 申请日期 | 2002.12.17 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·F·布勒;J·D·奇克 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种制造具有不同栅极绝缘厚度的晶体管的方法，包含：在由硅所组成的基材(30)上形成牺牲层(34)；执行湿式蚀刻处理以移除该牺牲层(34)；于移除该牺牲层(34)后植入氟原子于该基材(30)所选择的部分中；以及执行热氧化处理以于该基材上形成多个栅极绝缘层(42、44)，形成于该基材(30)所选择植入氟原子的部分上的栅极绝缘层(42)的厚度较形成于该基材(30)未植入氟原子的部分上的栅极绝缘层(44)厚。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||