使用等离子体处理衬底的装置和方法,以及制造半导体器件的设备

摘要

使用多种不同类型等离子体源来处理衬底。等离子体源可与单个处理室相关。在这种情况下，选择性地操作等离子体源，来处理在处理室中的衬底。或者，等离子体源分别与集成的制造设备中的各个处理室相关联。根据本发明，等离子体源的操作参数，例如使用顺序，构成额外的可以调节的处理参数，最大化处理效率。

主权项

1.一种等离子体处理装置包括： 处理室； 半导体支撑，设置在处理室中并用于当在室中处理衬底时支撑衬 底； 气体供应系统，连接到处理室；以及 等离子体生成系统，包括多个等离子体生成器，每个等离子体生 成器独立可操作地使用由气体供应系统提供的处理气体产生等离子 体，等离子体生成器是不同的类型。