薄膜晶体管及其生产方法

摘要

在本发明提供的TFT(薄膜晶体管)中，供氢层能够形成在使氢的扩散距离缩短且不增加光刻法的位置处。在TFT中，用于使氢扩散到存在于多晶硅薄膜和栅绝缘膜界面处的悬空键中的供氢层形成在栅绝缘膜和栅电极之间的位置处。根据该结构，在氢化过程中，氢的扩散距离可以缩短，在不花费大量热处理时间的情况下可以充分进行氢化。

主权项

1、一种薄膜晶体管，其包括：其中形成有源区和漏区的多晶硅薄膜；和形成在所述多晶硅薄膜上的栅电极，在所述多晶硅薄膜和所述栅电极之间插入有栅绝缘膜；其中，在所述栅绝缘膜和所述栅电极之间的位置处形成含有氢的供氢层，以将氢供入所述多晶硅薄膜和所述栅绝缘膜之间的界面中，所述的供氢层包含微晶硅，所述的微晶硅包含在无定形硅和多晶硅之间的中间硅。