| 发明名称 | 磁记录介质和磁存储装置 | ||
| 摘要 | 一种磁记录介质，包括衬底、记录磁层和设置在衬底和磁层之间的底层，记录磁层由CoCr合金构成并具有(1120)晶体织构，底层由AlV或AlRuV合金构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1310215C | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN03822082.2 | 申请日期 | 2003.01.15 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 安东尼·阿简;E.·诺埃尔·阿巴拉 |
| 分类号 | G11B5/64(2006.01) | 主分类号 | G11B5/64(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种磁记录介质，包括：衬底；记录磁层，由CoCr合金构成并具有(1120)晶体织构；底层，其设置在衬底和磁层之间，由AlV或AlRuV合金构成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||