| 发明名称 | 一种ZnO基发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及ZnO基发光二极管及其制备方法，首先采用脉冲激光沉积法在衬底上依次沉积ZnO同质缓冲层、n型ZnO接触层、n型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O层、多层Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O/ZnO多量子阱结构层、p型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O层、p型ZnO接触层和多层Zn<SUB>1－xR:SUB>1－y</SUB>Mg<SUB>y</SUB>O分布布拉格反射镜结构层，然后采用磁控溅射法在n型ZnO接触层上沉积与n型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O层并列的第一电极，在p型ZnO接触层上沉积与多层Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O/Zn<SUB>1－y</SUB>Mg<SUB>y</SUB>O分布布拉格反射镜结构层并列的第二电极。本发明的ZnO基发光二极管引入了多量子阱和分布布拉格结构，因此可以减少由于光强度透射和吸收引起的损失，从而可以提高LED的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1945867A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610154474.7 | 申请日期 | 2006.11.02 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 朱丽萍;顾修全;叶志镇;赵炳辉 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/34(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.一种ZnO基发光二极管，其特征是在衬底(1)上自下而上依次沉积ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn1-xMgxO层(4)、由Zn1-xMgxO和ZnO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层(5)、p型Zn1-xMgxO层(6)、p型ZnO接触层(7)和由Zn1-xMgxO和Zn1-yMgyO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)，第一电极(9)并列于n型ZnMgO层(4)沉积在n型ZnO接触层(3)上，第二电极(10)并列于多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)沉积在p型ZnO接触层(7)上，其中多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层的X值为0＜X＜0.4，多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层的X值为0～0.4，Y值为0～0.4，且X值与Y值不相同，n型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2，p型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||