| 发明名称 | 一种生长在蓝宝石衬底上的复合缓冲层及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长在Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN－GaN－InN:Mn－InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1945863A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610117009.6 | 申请日期 | 2006.10.11 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 陈平平;陆卫;刘昭麟;李天信;王少伟;陈效双 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L31/0304(2006.01);H01L29/20(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 郭英 |
| 主权项 | 1.一种生长在Al2O3衬底(1)上的复合缓冲层，其特征在于：该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层(2)、GaN层(3)、InN:Mn层(4)及InN过渡层(5)。 | ||
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 | ||