| 发明名称 | LDMOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包含半导体衬底(1，12)、在衬底的顶部上的绝缘层(8)、横向场效应晶体管，此横向场效应晶体管包含设置在衬底中的漏区(2)和源区(3)以及设置在衬底上绝缘层内的栅极(4)、设置在漏区上方绝缘体层顶部上的漏极导板(29)、设置在源区上方绝缘体层顶部上的源极导板(25)、设置在由漏极导板和源极导板所限定的区域外面绝缘体层顶部上的栅极导板(20)、第一耦接结构，此第一耦接结构包含用来耦接漏极导板与漏区的通孔(2+)、以及第二耦接结构，此第二耦接结构包含用来耦接源极导板与源区的通孔(23)。 | ||
| 申请公布号 | CN1947262A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200580013161.3 | 申请日期 | 2005.02.24 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | G·马;C·阿伦斯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L23/485(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/45(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包含：-半导体衬底，-在所述衬底的顶部上的绝缘层，-横向场效应晶体管，此横向场效应晶体管包含设置在所述衬底中的漏区和源区以及设置在所述衬底上所述绝缘层内的栅极，-设置在所述漏区上方绝缘体层顶部上的漏极导板，-设置在所述源区上方绝缘体层顶部上的源极导板，-设置在由所述漏极导板和所述源极导板限定的区域外面绝缘体层顶部上的栅极导板，-第一耦接结构，此第一耦接结构包含用来耦接所述漏极导板与所述漏区的通孔，以及-第二耦接结构，此第二耦接结构包含用来耦接所述源极导板与所述源区的通孔。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||