发明名称 | N型基体单晶硅太阳电池 | ||
摘要 | 本实用新型涉及一种N型基体单晶硅太阳电池采用N型硅单晶片为基体,制造太阳电池,其生产出的太阳电池效率和应用完全和用P型基体制成的太阳电池一样;本实用新型的太阳电池结构,从上面向下面各层依次是:上电极/氮化硅减反射膜/P<SUP>+</SUP>扩散层/N型单晶硅片/N<SUP>+</SUP>/背电极;其中:氮化硅减反射膜厚度约为0.75μm,P<SUP>+</SUP>扩散层的厚度约为0.2-0.25μm,薄层电阻约20Ω-cm,N<SUP>+</SUP>层厚度约为5-10μm,N型单晶硅片电阻率>0.5Ω-cm。 | ||
申请公布号 | CN2888652Y | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
申请号 | CN200520043749.0 | 申请日期 | 2005.07.25 |
申请人 | 胡宏勋;郑君 | 发明人 | 胡宏勋;郑君 |
分类号 | H01L31/04(2006.01) | 主分类号 | H01L31/04(2006.01) |
代理机构 | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人 | 罗习群 |
主权项 | 1.一种N型基体单晶硅太阳电池,其特征在于,N型基体单晶硅太阳电池的结构,从上面向下面各层依次是:上电极/氮化硅减反射膜/P+扩散层/N型单晶硅片/N+/背电极;其中:氮化硅减反射膜厚度为0.75um,P+扩散层的厚度为0.2-0.25um,薄层电阻20Ω-cm,N+层厚度为5-10um,N型单晶硅片电阻率>0.5Ω-cm。 | ||
地址 | 201612上海市松江新桥场东路雅阁花园262号 |