一种直流磁控共溅射法制备ZnO∶Al透明导电薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种直流磁控共溅射法制备ZnO∶Al透明导电薄膜的方法，用直流磁控共溅射技术在玻璃基片上制备出具有多晶结构的ZnO∶Al透明导电膜，溅射靶为分离的纯金属锌靶和铝靶，调整靶基距为40－80mm，溅射室基础真空为小于1.0×10^－3Pa，溅射气体为氩气，反应气体为氧气，溅射室气体压力0.5－3Pa，氩气和氧气流量比值4－10，基片衬底温度100℃－300℃，本发明的方法成本低廉、靶材制造方便且可回收利用，易于大面积成膜，所制成的透明导电薄膜的导电性和光学透过率高，厚度均匀性好，性能优越。

主权项

1、一种直流磁控共溅射法制备ZnO:Al透明导电薄膜的方法，其特征在于步骤如下：(1)将高纯度的金属Zn靶安装在直流磁控溅射装置的溅射室的水冷的阴极靶槽中，高纯度的金属Al片附着在Zn靶表面，将清洗过的基片放入基片架，把基片架插入溅射室的基片盘中，调整靶基距为40-80mm；(2)对溅射室进行抽气，使溅射室的基础真空小于1.0×10-3Pa，给基片加热至100℃-300℃，后向溅射室内分别充入溅射气体氩气和反应气体氧气，氩气和氧气的流量比值为4-10，溅射气体Ar气由导管引到金属靶面附近，反应气体O2气由导管引到基片附近，并减少抽气量，使溅射室的气体压力为0.5-3Pa，最后磁控溅射，制得ZnO:Al透明导电薄膜。