主权项 |
1.一种半导体存储装置,包括, (a)存储单元阵列,将存储单元配置成在第一方向上m 个、在第二方向上n个的格子状,其中,所述存储单元具有使 用铁电膜的电容器部,还包括第一端子、第二端子及第三端子; (b)第一配线,用于连接配置于第一方向上的m个存储 单元的所述第一端子; (c)第二配线,用于连接配置于第二方向上的n个存储 单元的所述第二端子;以及 (d)第三配线,用于连接m个存储单元的所述第三端子, (d1)作为将所述存储单元阵列分割成第一方向上 q个、第二方向上r个的单位模块,在格子状地配置为第 一方向上s个存储单元、第二方向上t个存储单元的单 位模块中, 所述第三配线包括: (d2)用于连接排列于第一单位模块的第一方向上 的s个存储单元的第一至第t配线部; (d3)用于连接排列于第二单位模块的第一方向上 的s个存储单元的第一至第t配线部,其中,所述第二 单位模块位于所述第一单位模块的第一方向旁边;以及 (d4)连接配线部,用于分别连接所述第一单位模 块的第一至第t配线部和所述第二单位模块的第一至第t 配线部,而不使同一编号的配线部彼此连接, 所述连接配线部分别连接所述第一单位模块的配线 部的所述第二单位模块一侧的端部和所述第二单位模块 的配线部的所述第一单位模块一侧的端部, 所述半导体存储装置的特征在于, (e)所述连接配线部在所述第一单元模块和所述第二单 元模块的模块之间交叉。 |