| 发明名称 | 制造Ⅲ－V族化合物半导体的方法 | ||
| 摘要 | 当形成Ⅲ-V族氮化物半导体的晶体层时，首先在衬底上覆盖氮化物半导体层以便形成基底层，并且通过氢化物气相外延在不低于800Torr的淀积压力下在该基底层上外延生长由通式In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>y</SUB>Al<SUB>z</SUB>N(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)表示的Ⅲ-V族氮化物半导体。通过使淀积压力不低于800Torr，可以显著地提高Ⅲ-V族氮化物半导体的结晶性并降低它的缺陷密度。 | ||
| 申请公布号 | CN1310286C | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN03108535.0 | 申请日期 | 2003.03.26 |
| 申请人 | 住友化学工业株式会社 | 发明人 | 平松和政;三宅秀人;坊山晋也;前田尚良;家近泰 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造III-V族化合物半导体的方法，包括：通过氢化物气相外延形成由通式InxGayAlzN表示的III-V族氮化物化合物半导体的晶体层的步骤，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，在反应器内导入源气体和载气，使得在生长III-V族氮化物化合物半导体期间的淀积压力设置为不低于800Torr。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||