| 发明名称 |
Semiconductor light emitting device |
| 摘要 |
A second cladding layer (8) composed of p-AlGaN and a second contact layer (9a) comp
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| 申请公布号 |
EP1772911(A2) |
申请公布日期 |
2007.04.11 |
| 申请号 |
EP20070000009 |
申请日期 |
2000.09.21 |
| 申请人 |
SANYO ELECTRIC CO., LTD. |
发明人 |
NOMURA, YASUHIKO;HAYASHI, NOBUHIKO;SHONO, MASAYUKI |
| 分类号 |
H01L33/14;H01L33/32;H01S5/22;H01S5/223;H01S5/227;H01S5/323;H01S5/343 |
主分类号 |
H01L33/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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