发光元件的制造方法及发光元件

摘要

本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆，以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液，将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻，而形成面粗糙突起部40f；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90％以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此，本发明可提供一种发光元件的制造方法，其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层，且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。

主权项

1.一种发光元件的制造方法，其特征在于具有：发光元件晶圆制造步骤，该发光元件晶圆是具有发光层部及GaP光取出层，并以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式制造；该发光层部，在以组成式(AlxGa1-x)yIn1-yP(其特征在于，，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，使用与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层，并依此顺序积层而形成双异质结构；该GaP光取出层，是以本身的第一主表面成为晶圆第一主表面的形式设置在发光层部上；主光取出区域面粗糙步骤，通过面粗糙用蚀刻液，将由(100)面所形成的GaP光取出层第一主表面进行蚀刻而形成面粗糙突起部；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90％以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高；以及切割步骤，将发光元件晶圆进行切割，而制造于GaP光取出层第一主表面上形成有面粗糙突起部的发光元件芯片。