发明名称 高精度圆形长棒氮化硅陶瓷制造方法
摘要 本发明提供了一种高精度圆形长棒氮化硅陶瓷制造方法,为氮化硅粉体细化、干燥、机械压制成型,冷等静压后,素坯经加工成几种长棒形状,按几种长棒状氮化硅陶瓷的形状,设计相应形状的石墨容器,采用吊烧工艺,在气压炉内气压烧结,然后采用无心磨床粗磨、细磨、抛光外圆、平面磨床加工端面。本发明的高精度圆形长棒氮化硅陶瓷制品的毛坯采用吊烧工艺后在长度方面弯曲小于长度1.5%,圆度精加工余量小于1mm;高精度圆形长棒氮化硅陶瓷制品采用气压烧结其材料密度达到理论密度的98%以上,表面粗糙度达到Ra0.2,圆度公差0~0.001mm。
申请公布号 CN1944340A 申请公布日期 2007.04.11
申请号 CN200610117465.0 申请日期 2006.10.24
申请人 上海泛联科技股份有限公司 发明人 赵振威;洪小林;朱荣华;葛忠贤
分类号 C04B35/584(2006.01);C04B35/622(2006.01);B28B3/00(2006.01) 主分类号 C04B35/584(2006.01)
代理机构 上海东亚专利商标代理有限公司 代理人 罗习群
主权项 1、一种高精度圆形长棒氮化硅陶瓷制造方法,其特征在于包括以下的步骤:1)氮化硅原料进行细化处理、干燥、造粒,压力为20~80MPa,过筛为50~70目筛;2)过筛后氮化硅的粉体加入金属模具中,进行机械压制成型,压力为60~100MPa;3)机械压制成型后的氮化硅素坯制品,装入橡胶筒、或聚氨酯、或硅橡胶或聚氨酯海绵软模具内,密封后进行冷等静压,压力为180~300MPa、时间为3分钟;4)经冷等静压后的氮化硅素坯在机床上加工成几种长棒形状,使其烧结后圆棒的圆度精加工余量小于1mm;5)按几种长棒状氮化硅陶瓷的形状,设计相应形状的石墨容器,采用吊烧工艺,在气压炉内进行气压烧结。
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