| 发明名称 | 一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法。它主要为采用一种简单的操作手段，在立方织构金属镍表面，通过氧化外延生长立方织构氧化镍隔离层。其方法是将具有高度立方织构金属镍片经清洁处理，将其置于1100-1250℃高温炉中，空气环境氧化3-30分钟。在立方织构金属镍表面获得具有高度立方织构的氧化镍层。它主要用于高温超导涂层导体隔离层。 | ||
| 申请公布号 | CN1309661C | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200310101681.2 | 申请日期 | 2003.10.24 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 杨坚;刘慧舟;古宏伟 |
| 分类号 | C01G53/04(2006.01);H01L39/00(2006.01) | 主分类号 | C01G53/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程凤儒 |
| 主权项 | 1.一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法，其特征在于：该方法包括下述步骤：(1)将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理，表面不留水迹、污渍；(2)清洗后的金属镍片置于1100-1250C高温炉中，空气环境恒温2-30分钟；(3)出炉冷却至室温。 | ||
| 地址 | 100088北京市新街口外大街2号 | ||