发明名称 用于制造雪崩沟槽光学检测器的方法以及检测器
摘要 一种在半导体衬底上形成雪崩沟槽光学检测器器件的方法,包括在衬底中形成第一组和第二组沟槽,其特征在于:第一组沟槽相对于第二组沟槽交替地设置,用掺杂的牺牲材料填充沟槽,以及退火该器件以在衬底中形成倍增区。该方法包括从第一组沟槽中蚀刻掺杂的牺牲材料,用掺杂的第一导电性材料填充第一组沟槽,从第二组沟槽中蚀刻掺杂的牺牲材料,以及用掺杂的第二导电性材料填充第二组沟槽。该方法还包括提供到第一组沟槽和第二组沟槽的分开的布线连接。
申请公布号 CN1310343C 申请公布日期 2007.04.11
申请号 CN200310117299.0 申请日期 2003.12.09
申请人 国际商业机器公司 发明人 D·L·罗杰斯;杨敏
分类号 H01L31/18(2006.01);H01L31/107(2006.01) 主分类号 H01L31/18(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 李峥;于静
主权项 1.一种在半导体衬底上形成雪崩沟槽光学检测器器件的方法,包括以下步骤:在衬底中形成第一组和第二组沟槽,其中第一组沟槽相对于第二组沟槽交替地设置;用掺杂的牺牲材料填充沟槽;退火该器件以在衬底中形成倍增区;从第一组沟槽中蚀刻掺杂的牺牲材料;用掺杂的第一导电性材料填充第一组沟槽;从第二组沟槽中蚀刻掺杂的牺牲材料;用掺杂的第二导电性材料填充第二组沟槽;以及提供到第一组沟槽和第二组沟槽的分开的布线连接。
地址 美国纽约