| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列面板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：在基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成欧姆接触件；在欧姆接触件上形成包括源电极和漏电极的数据线；沉积第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一光刻胶；利用第一光刻胶作为蚀刻掩膜对第二绝缘层和第一绝缘层进行蚀刻，以露出漏电极的一部分和基板的一部分；利用选择性沉积，形成连接至漏电极的已露出部分的像素电极；以及去除第一光刻胶。 | ||
| 申请公布号 | CN1945813A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610152439.1 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 裴良浩;郑敞午;李制勋;赵范锡 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/004(2006.01);G03F7/00(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在基板上形成包括栅电极的栅极线；在所述栅极线上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成欧姆接触件；在所述欧姆接触件上形成包括源电极和漏电极的数据线；沉积第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第一光刻胶；利用所述第一光刻胶作为蚀刻掩膜对所述第二绝缘层和所述第一绝缘层进行蚀刻，以露出所述漏电极的一部分和所述基板的一部分；利用选择性沉积，形成连接至所述漏电极的已露出部分的像素电极；以及去除所述第一光刻胶。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||