发明名称 扫描样品无损检测多极激励场发生装置
摘要 本实用新型公开了一种扫描样品无损检测多极激励场发生装置,激励线圈的磁芯采用4片具有高磁导率的坡莫合金(1J85)叶片对接制成,每只叶片为U型,夹角为90°,所述叶片包括底边、竖边和横边,底边和竖边相互垂直,横边与竖边的夹角为120°~160°,4片横边的顶端之间间隔适当距离;所述叶片之间相互绝缘,叶片的底边和竖边上缠绕有漆包线,相邻两个叶片的上的漆包线缠绕方向相反。本实用新型采用四极激发线圈代替双D型线圈,能够测量较深的缺陷,并且还具有如下优点:①场随空间衰减更快,所以噪声小;②在SQUID器件处更易平衡;③只需要一个磁强计(省去了梯度计)即可,使器件工艺大大简化。
申请公布号 CN2888445Y 申请公布日期 2007.04.11
申请号 CN200520142119.9 申请日期 2005.11.23
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 任育峰;孔祥燕;杨乾声;杨国桢;陈赓华
分类号 G01N27/82(2006.01);H01F7/06(2006.01) 主分类号 G01N27/82(2006.01)
代理机构 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人 尹振启
主权项 1、一种扫描样品无损检测多极激励场发生装置,其特征在于,激励线圈的磁芯采用4片具有高磁导率的坡莫合金叶片对接制成,每只叶片为U型,夹角为90°,所述叶片包括底边、竖边和横边,底边和竖边相互垂直,横边与竖边的夹角为120°~160°,4片横边的顶端之间间隔适当距离;所述叶片之间相互绝缘,叶片的底边和竖边上缠绕有漆包线,相邻两个叶片的上的漆包线缠绕方向相反。
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