| 发明名称 | 半导体器件以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供可以防止被制造工艺的等离子电流破坏，并且避免了二极管的耐压上升的半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件(10)，采用具有作为支撑衬底的硅衬底(101a)、硅衬底(101a)上的氧化膜(101b)、和氧化膜(101b)上的硅薄膜(101c)的SOI衬底101，并具有形成在它的硅薄膜(101c)上的输入端子IN(第2上层布线(134))，形成在硅薄膜(101c)上的Vss端子Tvss(第1上层布线(139))，形成在硅薄膜(101c)上并与输入端子IN和Vss端子Tvss连接的半导体元件(例如倒向器(11))，和形成在硅薄膜(101c)上并从Vss端子Tvss向输入端子IN正向连接的保护二极管(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN1945843A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610154049.8 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 袋武人;冲原将生 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有：支撑衬底；所述支撑衬底上的氧化膜；所述氧化膜上的半导体薄膜；形成在所述半导体薄膜上的第1端子；形成在所述半导体薄膜上的第2端子；形成在所述半导体薄膜上，并与所述第1端子和所述第2端子连接的半导体元件；以及形成在所述半导体薄膜上，从所述第2端子向所述第1端子正向连接的保护二极管。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||