NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE AND A NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING A PORTION OF SAME,申请号KR20027000602-传众专利搜索

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发明名称	NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE AND A NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING A PORTION OF SAME
摘要
申请公布号	KR100705886(B1)	申请公布日期	2007.04.09
申请号	KR20027000602	申请日期	2002.01.15
申请人		发明人
分类号	H01S5/30	主分类号	H01S5/30
代理机构		代理人
主权项
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