| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
FR2858714(B1) |
申请公布日期 |
2007.04.06 |
| 申请号 |
FR20040008662 |
申请日期 |
2004.08.05 |
| 申请人 |
SHARP KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
ITOGA TAKASHI;TAKAFUJI YUTAKA;YAMAMOTO YOSHIHIRO |
| 分类号 |
H01L21/266;G02F1/1368;H01L21/20;H01L21/60;H01L21/762;H01L21/77;H01L21/84;H01L27/12;H01L27/15 |
主分类号 |
H01L21/266 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
