| 发明名称 |
Verfahren zur Verfüllung von Isolationsgräben unter Nutzung von CMOS-Standardprozessen zur Realisierung dielektrisch isolierter Gebiete auf SOI Scheiben |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102004005804(B4) |
申请公布日期 |
2007.04.05 |
| 申请号 |
DE200410005804 |
申请日期 |
2004.02.06 |
| 申请人 |
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG |
发明人 |
FREYWALD, KARLHEINZ |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/764;H01L21/84 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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