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Ein Feldeffekttransistor schließt eine Kanalschicht mit einem Kanal und eine Trägerzufuhrschicht ein, die auf der Kanalschicht abgeschieden ist, welche einen Halbleiter enthält, der durch die Formel Al¶x¶Ga¶1-x¶N dargestellt wird, wobei der Index x größer als 0,4 und kleiner als 0,45 ist. Der Kanal wird nahe der Grenzfläche zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht gebildet oder abgereichert, die Trägerzufuhrschicht weist eine größere Bandlückenenergie als die der Kanalschicht auf, und der Index x in der Formel Al¶x¶Ga¶1-x¶N nimmt monoton mit einem Anstieg des Abstandes von der Grenzfläche ab. Die Kanalschicht kann kristallin aus Galliumnitrid sein. Die Kanalschicht kann undotiert sein. Der Index x in der Formel Al¶x¶Ga¶1-x¶N der Trägerzufuhrschicht ist an der Grenzfläche größer als oder gleich 0,15 und kleiner als oder gleich 0,40.
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