发明名称 Verfahren zur Ausbildung von Trench-Speicherzellenstrukturen für DRAMs
摘要
申请公布号 DE102004028852(B4) 申请公布日期 2007.04.05
申请号 DE200410028852 申请日期 2004.06.15
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KRASEMANN, ANKE
分类号 H01L21/8242 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
主权项
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