发明名称 |
n<SUP>+</SUP>/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 |
摘要 |
一种n<SUP>+</SUP>/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法,包括如下步骤:以p型砷化镓或锗单晶片为衬底;利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术,生长n<SUP>+</SUP>/p型太阳电池外延片,外延至顶电池的发射区层;在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层;在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层,完成电池外延片的制备;在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极,在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极;腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装,安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置,完成电池的制作。 |
申请公布号 |
CN1941427A |
申请公布日期 |
2007.04.04 |
申请号 |
CN200510105262.5 |
申请日期 |
2005.09.28 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
白一鸣;陈诺夫;梁平;孙红;胡颖;王晓东 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1、一种n+/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:以p型砷化镓或锗单晶片为衬底;步骤2:利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术,生长n+/p型太阳电池外延片,外延至顶电池的发射区层;步骤3:在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层;步骤4:在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层,完成电池外延片的制备;步骤5:在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极,在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极;步骤6:腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装,安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置,完成电池的制作。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |