发明名称 贯通型积层电容器阵列
摘要 贯通型积层电容器阵列包括:隔着电介质层交错积层有多个第1以及第2电极层的积层体,形成在积层体的第1侧面上的第1,3,5以及7端子电极,和形成在与第1侧面相向的积层体的第2侧面上的第2,4,6以及8的端子电极。第1电极层所含有的第1内部电极,与第1以及第2端子电极通过引出导体电连接。第1电极层所含有的第2内部电极,与第3以及第4端子电极通过引出导体电连接。第2电极层所含有的第3内部电极,与第5以及第6端子电极通过引出导体电连接。第2电极层所含有的第4内部电极,与第7以及第8端子电极通过引出导体电连接。
申请公布号 CN1941235A 申请公布日期 2007.04.04
申请号 CN200610159358.4 申请日期 2006.09.27
申请人 TDK株式会社 发明人 富樫正明
分类号 H01G4/35(2006.01);H01G4/38(2006.01) 主分类号 H01G4/35(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种贯通型积层电容器阵列,其特征在于,包括隔着电介质层积层有第1电极层和第2电极层的积层体,和形成在所述积层体侧面的第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7以及第8端子电极,所述第1、第3、第5以及第7端子电极,位于平行于所述积层体的积层方向的、所述积层体的第1侧面,所述第2、第4、第6以及第8端子电极,位于与所述第1侧面相对的所述积层体的第2侧面,所述第1电极层,包括第1以及第2内部电极,和第1、第2、第3以及第4引出导体,所述第2电极层,包括第3以及第4内部电极,和第5、第6、第7以及第8引出导体,所述第1内部电极,通过从该第1内部电极引出至所述第1侧面而延伸的所述第1引出导体,与所述第1端子电极电连接,同时,通过从该第1内部电极引出至所述第2侧面而延伸的所述第2引出导体,与所述第2端子电极电连接,所述第2内部电极,通过从该第2内部电极引出至所述第1侧面而延伸的所述第3引出导体,与所述第3端子电极电连接,同时,通过从该第2内部电极引出至所述第2侧面而延伸的所述第4引出导体,与所述第4端子电极电连接,所述第3内部电极,通过从该第3内部电极引出至所述第1侧面而延伸的所述第5引出导体,与所述第5端子电极电连接,同时,通过从该第3内部电极引出至所述第2侧面而延伸的所述第6引出导体与所述第6端子电极电连接,所述第4内部电极,通过从该第4内部电极引出至所述第1侧面而延伸的所述第7引出导体,与所述第7端子电极电连接,同时,通过从该第4内部电极引出至所述第2侧面而延伸的所述第8引出导体与所述第8端子电极电连接。
地址 日本东京