| 发明名称 | 半导体氧化设备和制造半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸气的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1943020A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200680000155.9 | 申请日期 | 2006.02.13 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 佐藤俊一;轴谷直人;伊藤彰浩;梅本真哉;禅野由明;山本高稔 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01S5/183(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;王景刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体氧化设备，包括：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||