| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被全硅化物化的双栅极结构的半导体装置中，通过提高栅极电极的稳定性来提高半导体装置的可靠性。在形成成为N型MIS晶体管形成区域的栅极电极的NiSi膜(110A)的同时，形成成为P型MIS晶体管形成区域的栅极电极的Ni<SUB>3</SUB>Si膜(110B)。将未反应的N型多结晶硅膜(103A)作为防止NiSi膜(110A)和Ni<SUB>3</SUB>Si膜(110B)之间的相互扩散的导电性扩散防止区域残留在元件隔离区域(101)上即硅化物化防止膜(106)下。 | ||
| 申请公布号 | CN1941376A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610093784.2 | 申请日期 | 2006.06.19 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 相田和彦;平濑顺司;濑部绍夫;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于：包括：第1元件区域及第2元件区域，夹着元件隔离区域相邻地形成在衬底上，第1栅极绝缘膜，形成在上述第1元件区域上，第2栅极绝缘膜，形成在上述第2元件区域上，以及栅极电极，连续地形成在上述第1栅极绝缘膜、上述元件隔离区域及上述第2栅极绝缘膜的各自上；上述栅极电极具有第1硅化物区域、第2硅化物区域和导电性扩散防止区域，该第1硅化物区域形成为与上述第1栅极绝缘膜接触在一起，该第2硅化物区域形成为与上述第2栅极绝缘膜接触在一起、且组成与上述第1硅化物区域的组成不同，该导电性扩散防止区域由上述元件隔离区域上的形成在上述第1硅化物区域和上述第2硅化物区域之间的非硅化物区域构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||