| 发明名称 | 生产高密度半导体功率器件的钴－硅接触绝缘金属工艺 | ||
| 摘要 | 本发明介绍了一种改进的槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，它包含一个由源区包围的槽沟门，源区被漏极区上方的本体区围绕，漏极区位于衬底的底部表面。该MOSFET单元还包含通过保护绝缘层延伸到所述本体区和源区的区域顶部开出的源接触开口。其中，该区域还拥有一层排列在衬底顶部表面附近的钴－硅层。该MOSFET单元还进一步包含一层Ti/TiN导电层，该导电层覆盖源接触开口上方的、与钴－硅层交界的区域。另外，该MOSFET单元还包含一层在Ti/TiN导电层顶部生成的源接触金属层，该导电层可在此随时生成源结合导线。 | ||
| 申请公布号 | CN1941410A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200510119862.7 | 申请日期 | 2005.11.09 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 常虹;李铁生;戴嵩山;伍明谦;安荷叭剌 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 衷诚宣 |
| 主权项 | 1.一种槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管单元，特征在于，其包含一个由源区包围的槽沟门，源区被漏极区上方的本体区围绕，漏极区位于衬底的底部表面；其中，所述的金属氧化物半导体场效应晶体管单元进一步包含：在通过保护绝缘层延伸到所述本体区和源区的区域顶部开有源接触开口；其中，所述区域还包含排列于所述衬底顶部表面附近的钴-硅层。 | ||
| 地址 | 百慕大哈密尔敦 | ||