| 发明名称 | 抛光浆、Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>As<SUB>y</SUB>P<SUB>1－y</SUB>晶体表面处理方法和Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>As<SUB>y</SUB>P<SUB>1－y</SUB>晶体衬底 | ||
| 摘要 | 本抛光浆是用于化学地机械地抛光Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>As<SUB>y</SUB>P<SUB>1－y</SUB>晶体(0≤x≤1，0≤y≤1)表面的抛光浆，其特征在于本抛光浆含有由SiO<SUB>2</SUB>形成的磨料粒，本磨料粒是初级粒子在其中缔合的二级粒子，并且二级粒子平均粒径d<SUB>2</SUB>与初级粒子平均粒径d<SUB>1</SUB>的比值d<SUB>2</SUB>/d<SUB>1</SUB>是不小于1.6且不大于10。根据这样的抛光浆，能够以高抛光速度并有效地在Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>As<SUB>y</SUB>P<SUB>1－y</SUB>晶体上形成具有小表面粗糙度的晶体表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1939992A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610139930.0 | 申请日期 | 2006.09.27 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二;西浦隆幸 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01);B24B29/02(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09G1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种用于化学地机械地抛光GaxIn1-xAsyP1-y晶体(0≤x≤1，0≤y≤1)(1)表面的抛光浆(17)，其特征在于所述抛光浆(17)含有由SiO2形成的磨料粒(16)，所述磨料粒(16)是初级粒子在其中缔合的二级粒子，和所述二级粒子平均粒径d2与所述初级粒子平均粒径d1的比值d2/d1是不小于1.6且不大于10。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||