半导体发光元件

摘要

本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件，在衬底上形成至少由n型包覆层、活性层、p型包覆层形成的发光部；发光部的上部中的p型掺杂剂浓度为大于等于1×10¹⁹/cm³；形成薄膜的As系p型接触层，其中添加的掺杂剂不同于在所述p型包覆层中添加的掺杂剂；在p型接触层的上部形成由金属氧化物材料构成的电流扩展层；在p型包覆层和p型接触层之间，具有由III/V族半导体构成的缓冲层；缓冲层为p型导电性，同时含有故意的或者不可避免的H(氢)或C(碳)；所述缓冲层的膜厚大于等于p型接触层中添加的掺杂剂的扩散深度L。

主权项

1.一种半导体发光元件，该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的发光部，该发光部至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成；在所述发光部的上部形成的As系p型接触层，该p型接触层的p型掺杂剂浓度大于等于1×1019/cm3，并且，所述的p型接触层的掺杂剂材料与所述p型包覆层中的掺杂剂不同；在所述p型接触层的上部形成的电流扩展层，该电流扩展层由金属氧化物材料构成；其特征在于：在所述p型包覆层和所述p型接触层之间形成由III/V族半导体构成的缓冲层，所述缓冲层是p型导电型，其中有意地或不可避免地含有H(氢)，并且所述缓冲层的膜厚大于等于掺杂到所述p型接触层中的掺杂剂的扩散深度L。