| 发明名称 | 存储器装置的写入电路 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器装置的写入电路，其包括：一全域数据输入/输出(I/O)线；一放大块，其用于接收及放大写入数据，并将经放大的写入数据作为全域数据传输到所述全域数据I/O线上；及一控制块，其用于比较所述写入数据与所述全域数据，从而当所述写入数据与所述全域数据具有大体相同数据值时停用所述放大块。 | ||
| 申请公布号 | CN1941164A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610105991.5 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 辛范柱 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01) | 主分类号 | G11C7/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽;李晓舒 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器装置的写入电路，其包含：一全域数据输入/输出(I/O)线；一放大块，其用于接收及放大写入数据，并将经放大的写入数据作为全域数据传输到所述全域数据I/O线上；及一控制块，其用于比较所述写入数据与所述全域数据，从而当所述写入数据与所述全域数据具有大体相同的数据值时停用所述放大块。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||