| 发明名称 | 含有Ⅲ族元素基氮化物半导体的电子器件 | ||
| 摘要 | 一种电子器件，包括衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>N代表的半导体；和位于第二缓冲层上的包含GaN的未掺杂基层，其中0＜x≤1且0≤y≤1。第一缓冲层在1000℃－1200℃温度下形成。第二缓冲层在350℃－800℃温度下形成。衬底包含SiC。第二缓冲层具有5－20nm的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1941408A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610127080.2 | 申请日期 | 2006.09.26 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 小嵜正芳;平田宏治 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种电子器件，通过利用晶体生长形成多个含有III族元素氮化物基半导体的半导体结晶层来制备，该电子器件包含：衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式AlxGa1-xN(0＜x≤1)代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式AlyGa1-yN(0≤y≤1)代表的半导体；和位于第二缓冲层上的未掺杂基层，其包含GaN。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||