发明名称 |
制作微型麦克风装置及其热氧化层与低应力结构层的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制作微型麦克风装置及其热氧化层与低应力结构层的方法。所述方法包括:提供基底,并在基底的正面形成多个沟槽。接着在沟槽的内壁与基底的正面形成热氧化层并填满沟槽。之后在热氧化层上形成第一结构层,且在第一结构层中注入掺杂,再在第一结构层上形成第二结构层,并进行退火工艺,以降低第一结构层与第二结构层的应力。随后定义第一结构层与第二结构层的图案,以形成多个隔膜。最后将第二结构层固定于承载基底上,并利用深蚀刻技术在基底的背面形成多个对应隔膜的腔体,且腔体具有垂直的侧壁,并暴露出部分的第一结构 层。 |
申请公布号 |
CN1942023A |
申请公布日期 |
2007.04.04 |
申请号 |
CN200510108811.4 |
申请日期 |
2005.09.30 |
申请人 |
探微科技股份有限公司 |
发明人 |
林弘毅;周尧天;刘娉婷 |
分类号 |
H04R31/00(2006.01);B81C1/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H04R31/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1、一种制作微型麦克风装置的方法,包含有:提供基底;在所述基底的正面形成多个沟槽;进行热氧化工艺,在所述沟槽的内壁与所述基底的所述正面形成热氧化层,且所述热氧化层填满所述沟槽;在所述热氧化层上形成第一结构层;在所述第一结构层中注入多个掺杂;在所述第一结构层上形成第二结构层;进行退火工艺,以降低所述第一结构层与所述第二结构层的应力;以及将所述第二结构层固定于承载基底上,并利用深蚀刻技术在所述基底的背面形成多个对应所述隔膜的腔体,所述腔体具有垂直的侧壁,且所述腔体暴露出部分的所述第一结构层。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |