| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个方案，提供一种半导体器件的制造方法，包括：形成至少一个互连层，具有低介电常数绝缘膜(1)和埋置在低介电常数绝缘膜(1)中的互连(2)；形成在互连层中延伸的沟槽或孔(12)；对具有沟槽或孔(12)的互连层进行热处理；以及在沟槽或孔(12)中埋置材料(13)。 | ||
| 申请公布号 | CN1309042C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200410088459.8 | 申请日期 | 2004.10.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 宫岛秀史 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，特征在于包括：形成至少一个互连层，具有低介电常数绝缘膜(1)和埋置在低介电常数绝缘膜(1)中的互连(2)；形成在互连层中延伸的沟槽或孔(12)；对具有沟槽或孔(12)的互连层进行热处理；以及在沟槽或孔(12)中埋置材料(13)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||