| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，由于向构成隔离区域的P型的扩散层的横方向的扩散变宽，有难以缩小设备大小的问题。在本发明的半导体装置中，在P型的单晶硅基板(6)上形成有N型的外延层(8)。基板(6)及外延层(8)由隔离区域(3)划分为多个元件形成区域。连结P型的埋入扩散层(47)和P型的扩散层(48)而形成隔离区域(3)。而且，P型的埋入扩散层(47)与N型的埋入扩散层(7、30)形成PN结。另一方面，P型的扩散层(48)与N型的扩散层(19、40)形成PN结。通过该结构，P型的埋入扩散层(47)及P型扩散层(48)，能够抑制横方向的扩散变宽，缩小设备大小。 | ||
| 申请公布号 | CN1941373A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610127037.6 | 申请日期 | 2006.09.21 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 大竹诚治;神田良;菊地修一 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/761(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;权鲜枝 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：隔离区域，将半导体层划分为多个元件形成区域；第一半导体元件，形成在一个所述元件形成区域中；以及第二半导体元件，与所述一个元件形成区域邻接，形成在另一个所述元件形成区域中，位于所述一个元件形成区域和所述另一个元件形成区域之间的所述隔离区域，连接多个第一导电型的扩散层而形成，各所述第一导电型的扩散层与构成所述第一半导体元件的第二导电型的扩散层以及形成所述第二半导体元件的第二导电型的扩散层形成PN结。 | ||
| 地址 | 日本大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 | ||