| 发明名称 | 有机发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法。该有机发光二极管包括：像素限定层，位于基底上，该像素限定层具有在其中的开口并具有邻近于所述开口形成的至少一个阶梯部分；有机层，位于所述开口中，并至少部分地覆盖所述至少一个阶梯部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1941400A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610139384.0 | 申请日期 | 2006.09.27 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 鲁硕原;金茂显;成镇旭;金善浩;宋明原 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01);H01L51/50(2006.01);H01L51/56(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/32(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;安宇宏 |
| 主权项 | 1、一种有机发光二极管，包括：像素限定层，位于基底上，所述像素限定层具有在其中的开口并具有邻近所述开口形成的至少一个阶梯部分；有机层，设置在所述开口中，并至少部分地覆盖所述至少一个阶梯部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||