| 发明名称 | 硅片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为了控制结晶层错区域、抑制退火处理时的滑移发生、并且可以合格率良好地制造高强度的高品质硅片，提供了一种硅片的制造方法，即通过直拉法，在氧浓度为0.9×10<SUP>18</SUP>原子/cm<SUP>3</SUP>以上、在距离晶片外周为20mm以内的区域中氧化诱导堆垛层错密度达最大的条件下，培育硅单晶，对所述硅单晶进行切片以制得晶片，使得所得晶片的原生层错密度在晶片的所有区域中为1×10<SUP>7</SUP>/cm<SUP>3</SUP>以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1940150A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610135761.3 | 申请日期 | 2006.09.27 |
| 申请人 | 东芝陶瓷株式会社 | 发明人 | 泉妻宏治;平野由美子;渡边隆;鹿岛一日儿;齐藤广幸;仙田刚士 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01);C30B15/00(2006.01);C30B33/02(2006.01) | 主分类号 | C30B29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;吴娟 |
| 主权项 | 1.一种硅片的制造方法，其特征在于：通过直拉法，在氧浓度为0.9×1018 原子/cm3以上、在距离晶片外周为20mm以内的区域中氧化诱导堆垛层错密度达最大的条件下，培育硅单晶，对所述硅单晶进行切片以制得晶片，所述晶片的原生层错密度在晶片的所有区域中为1×107/cm3以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||