发明名称 |
开关半导体集成电路 |
摘要 |
一种开关半导体集成电路具有控制高频信号通过的开关FET,使开关FET在通-断操作间切换。开关半导体集成电路包含使用反相器电路的逻辑控制部分,它根据外部施加的控制信号来产生开关信号,反相器电路使用结型FET,开关FET的栅极经栅极电阻器连接至反相器电路的输出端,此输出端又与耦合部分高频信号的耦合电容器相连。耦合的高频信号被结型FET的栅与漏间的等效二极管整流而叠加在施于开关FET栅极的DC电压上。 |
申请公布号 |
CN1309164C |
申请公布日期 |
2007.04.04 |
申请号 |
CN03107420.0 |
申请日期 |
2003.03.20 |
申请人 |
新日本无线株式会社 |
发明人 |
登坂裕之 |
分类号 |
H03K17/00(2006.01);H01P1/15(2006.01) |
主分类号 |
H03K17/00(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种开关半导体集成电路,具有开关FET来控制高频信号的导通,由施加于开关FET栅极的开关信号使开关FET在通-断操作间切换,其中开关半导体集成电路包含使用反相器电路的逻辑控制部分,它根据外部供给的控制信号产生开关信号,反相器电路使用结型FET,连接到电源的电阻负载与之相连,且开关FET的栅极经栅极电阻器与反相器电路的输出端相连,此输出端又与耦合部分高频信号的耦合电容器相连,从而使耦合的高频信号被结型FET栅极与漏极间的等效二极管整流,并叠加在施加于开关FET栅极的DC电压上。 |
地址 |
日本东京 |