制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括下述步骤：提供一个第一衬底和一个第二衬底；在第一衬底的第一表面上形成一个电容器和一个栅极线；在所得到的第一衬底结构上形成一个绝缘层；将第二衬底粘结到第一衬底的绝缘层上；以这样一种方式使得所得到的结构发生翻转，即第一衬底的第二表面成为所得到结构的上表面；对第一衬底的第二表面进行抛光，去除预定的厚度；通过针对第一衬底的第二表面执行一个隔离工艺来形成一个用于限定出一个有源区的隔离层，其中所述第二表面已经经受了抛光处理；以及在第一衬底中的有源区上形成一个位线。

主权项

1、一种制造半导体器件的方法，该方法包括下述步骤：i)提供一第一衬底和一第二衬底；ii)在所述第一衬底的第一表面上形成一电容器；iii)在第一衬底的所得结构上形成一绝缘层；iv)将所述第二衬底粘结到所述第一衬底的所述绝缘层上；v)以这样一种方式使得所得结构发生翻转，即所述第一衬底的第二表面是所得结构的上表面；vi)对所述第一衬底的所述第二表面进行抛光，去除预定的厚度；vii)通过针对已经经过了抛光工艺的所述第一衬底的所述第二表面执行隔离工艺来形成一限定出有源区的隔离层；以及viii)在所述第一衬底中的所述有源区上形成一位线。