| 发明名称 | 氢化锆表面Cr－C－O氢渗透阻挡层制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在氢化锆表面制备致密氢渗透阻挡层的工艺，该工艺是将氢化锆块经过磨光和预氧化后，在铬酐镀液中电镀30～180分钟，得到Cr－C合金镀层，经水煮去掉残余镀液后，再次氧化，可在氢化锆表面得到Cr－C－O氢渗透阻挡层，从而解决反应堆氢化锆慢化剂在650～750℃的工作温度下氢的析出问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1940144A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200510105646.7 | 申请日期 | 2005.09.29 |
| 申请人 | 中国核动力研究设计院 | 发明人 | 赵平;邹从沛;孔祥巩;彭倩 |
| 分类号 | C25D3/10(2006.01);C25D7/00(2006.01);C25D9/08(2006.01);G21C5/00(2006.01) | 主分类号 | C25D3/10(2006.01) |
| 代理机构 | 核工业专利中心 | 代理人 | 任晓航;代平 |
| 主权项 | 1.一种氢化锆表面Cr-C-O氢渗透阻挡层制备工艺，包括如下步骤：(1)将表面磨光的氢化锆块置于箱式电阻炉中加热至400℃、保温5～15个小时；(2)将氢化锆块从箱式电阻炉中取出，放入不锈钢电镀槽中进行电镀，电镀工艺参数为：阳极：纯铅，镀液：铬酐100～200g/L、草酸40～100g/L，PH值2～3，施镀温度20～50℃，电流密度5～20A/dm2，时间30～180min；(3)将电镀后的氢化锆块进行水煮1小时；(4)将水煮后的氢化锆块放在电阻炉中加热至400℃、保温8～20小时，在氢化锆块的表面形成Cr-C-O氢渗透阻挡层。 | ||
| 地址 | 610041四川省成都市436信箱32分箱 | ||