| 发明名称 | 硅半导体衬底的热处理方法以及使用该方法处理的硅半导体衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能对在含有氮气的气氛中进行了RTA之后的BMD密度在晶片深度方向的M分布形态进行任意控制、可自如地控制每个器件制造商的要求不同的接近吸收构造的方法。并且，提供一种对规定的硅晶片进行热处理，以制造在表面附近具有无缺陷层的硅晶片的热处理方法，其中，通过控制该热处理用硅晶片在深度方向的氮浓度分布，形成所希望的内部缺陷密度分布。 | ||
| 申请公布号 | CN1943022A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200580011882.0 | 申请日期 | 2005.04.22 |
| 申请人 | 小松电子金属股份有限公司 | 发明人 | 前田进;杉万贵久;佐土原晋弥;芳野史朗;中村浩三 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01) | 主分类号 | H01L21/322(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒运朴;徐谦 |
| 主权项 | 1.一种硅晶片，其在表面附近具有无缺陷层，其特征在于，在进行了使用氮气或含氮的气氛气体的热处理后，在距该硅晶片表面10μm的位置，其氮浓度大于等于1×1014atoms/cm3。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||