| 摘要 |
本发明提供破坏电压高且能量损耗少、适合在高电子迁移率晶体管等中使用的化合物半导体装置用基板以及使用该基板的化合物半导体装置。该化合物半导体装置用基板是在晶面方位{111}、载流子浓度10<SUP>16</SUP>－10<SUP>21</SUP>/cm<SUP>3</SUP>、n型的Si单晶基板2上依次层合载流子浓度为10<SUP>16</SUP>－10<SUP>21</SUP>/cm<SUP>3</SUP>、n型的3C－SiC单晶缓冲层3；六方晶Ga<SUB>x</SUB>Al<SUB>1－x</SUB>N单晶缓冲层(0≤x＜1)4；载流子浓度为10<SUP>11</SUP>－10<SUP>16</SUP>/cm<SUP>3</SUP>、n型的六方晶Ga<SUB>y</SUB>Al<SUB>1－y</SUB>N单晶层(0.2≤y≤1)5；载流子浓度为10<SUP>11</SUP>－10<SUP>16</SUP>/cm<SUP>3</SUP>、n型的六方晶Ga<SUB>z</SUB>Al<SUB>1－z</SUB>N单晶载流子供给层(0≤z≤0.8且0.2≤y－z≤1)6，并在上述基板2的背面形成背面电极7、在上述载流子供给层6的表面形成表面电极8。 |
