发明名称 |
静电放电保护电路 |
摘要 |
本发明是关于一种静电放电保护电路,是适用于一通讯领域的高频集成电路中,主要特征是在于本发明可以藉由将一用以滤波的晶体管的漏极或源极一端浮接(Floating),使其可以藉由内部的寄生双载子接面(bipolarjunction)导通,达到不会造成组件短路及符合工业界测试要求的静电放电保护电路。 |
申请公布号 |
CN1309075C |
申请公布日期 |
2007.04.04 |
申请号 |
CN200410086999.2 |
申请日期 |
2004.10.27 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
施教仁;李建兴;陈遂泓 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01);H02H9/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王一斌 |
主权项 |
1.一静电放电保护电路,是连接于一输出入垫片与内部电路之间,该静电放电保护电路是包括:至少一第一MOS晶体管,是接收由输出入垫片所传输的静电放电电源而导通,藉以传输静电放电电源;及至少一第二MOS晶体管,具有一第一电极、第二电极及一第三电极,其中该第一电极是该第二MOS晶体管的栅极,该第一电极与该第一MOS晶体管耦接在该输出入垫片至该内部电路的导电路径上,该第二电极是耦接至一低电源端,该第三电极是呈一浮接状态。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |