用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法

摘要

本发明涉及一种顶部籽晶法生长晶体时籽晶对中的方法，运用激光方向性好、亮度高等性质，对籽晶方向的偏离进行放大、纠正，将一束激光(4)照射籽晶(1)的头部，然后通过反射镜(3)观察反射光斑在参照墙上(5)的位置，在转动籽晶杆(2)时调整籽晶杆(2)以使反射光斑在参照墙上(5)的位置基本不变，达到籽晶对中的目的。

主权项

1.用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法，其特征在于：该方法采取以下步骤：1)先将籽晶(1)剖出一个解理面，然后将其装入籽晶杆(2)中，并将籽晶杆(2)固定在单晶炉上；2)将反射镜(3)非水平放在籽晶杆(2)下部的正下方，使其能够反射远处的He-Ne光(4)；3)将He-Ne光(4)通过反射镜(3)照射到籽晶(1)头部上，再经反射镜(3)反射到参照墙(5)上，光斑的合适位置通过转动反射镜(3)来实现；4)转动籽晶杆(2)，根据参照墙(5)上的光斑画弧情况，不时调整籽晶杆(2)，使光斑画弧不超出所要求的范围，这样籽晶(1)就对中完毕了。